IPAN70R600P7SXKSA1 - MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220

Hersteller Teilenummer

IPAN70R600P7SXKSA1

Interne Teilenummer

AX-IPAN70R600P7SXKSA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für IPAN70R600P7SXKSA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPAN70R600P7SXKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220

Serie : CoolMOS™ P7

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 700V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 90µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 364pF @ 400V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 24.9W (Tc)

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : PG-TO220 Full Pack

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IPAN70R600P7SXKSA1

Datenblätter : IPAN70R600P7SXKSA1.pdf

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