SUD19N20-90-E3 - MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
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MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
RoHS-Status
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Technische Daten für SUD19N20-90-E3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SUD19N20-90-E3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
51nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1800pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3W (Ta), 136W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252, (D-Pak)
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SUD19N20-90-E3
Datenblätter :
SUD19N20-90-E3.pdf
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