MURTA20060 - DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-MURTA20060
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
7144 Pieces
Referenzpreis
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Technische Daten für MURTA20060
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
MURTA20060
Hersteller :
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodenkonfiguration :
1 Pair Common Cathode
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) :
100A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 100A
Geschwindigkeit :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
25µA @ 600V
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Three Tower
Supplier Device Package :
Three Tower
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für MURTA20060
Datenblätter :
MURTA20060.pdf
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