TK5A65W,S5X - MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS

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Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS
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Technische Daten für TK5A65W,S5X

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : TK5A65W,S5X
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS
Serie : DTMOSIV
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 170µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 380pF @ 300V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 30W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220SIS
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für TK5A65W,S5X

Datenblätter : TK5A65W,S5X.pdf

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