IPN70R2K1CEATMA1 - MOSFET N-CHANNEL 750V 4A SOT223
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 750V 4A SOT223
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1965965 Pieces
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Technische Daten für IPN70R2K1CEATMA1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IPN70R2K1CEATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CHANNEL 750V 4A SOT223
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
750V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.1 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 70µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7.8nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
163pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
5W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-SOT223
Paket / fall :
SOT-223-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IPN70R2K1CEATMA1
Datenblätter :
IPN70R2K1CEATMA1.pdf
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