SI5913DC-T1-E3 - MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Hersteller Teilenummer

SI5913DC-T1-E3

Interne Teilenummer

AX-SI5913DC-T1-E3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

11616 Pieces

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Technische Daten für SI5913DC-T1-E3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI5913DC-T1-E3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Serie : LITTLE FOOT®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 84 mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 10V

FET-Funktion : Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.) : 1.7W (Ta), 3.1W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 1206-8 ChipFET™

Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SI5913DC-T1-E3

Datenblätter : SI5913DC-T1-E3.pdf

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