IPD80R1K0CEBTMA1 - MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

Hersteller Teilenummer

IPD80R1K0CEBTMA1

Interne Teilenummer

AX-IPD80R1K0CEBTMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

52668 Pieces

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Technische Daten für IPD80R1K0CEBTMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPD80R1K0CEBTMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

Serie : CoolMOS™

Teilestatus : Discontinued at Digi-Key

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 950 mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 785pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 83W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252-3

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPD80 , IPD80R1K

Dokumente für IPD80R1K0CEBTMA1

Datenblätter : IPD80R1K0CEBTMA1.pdf

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