DMTH8012LPS-13 - MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8

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MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8
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Technische Daten für DMTH8012LPS-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMTH8012LPS-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Ta), 72A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1949pF @ 40V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.6W (Ta), 136W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerDI5060-8
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für DMTH8012LPS-13

Datenblätter : DMTH8012LPS-13.pdf

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