S1FLJ-M-18 - DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-S1FLJ-M-18
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
11335930 Pieces
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Technische Daten für S1FLJ-M-18
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : S1FLJ-M-18
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 1.8µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : 4pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-219AB
Supplier Device Package : DO-219AB (SMF)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für S1FLJ-M-18
Datenblätter : S1FLJ-M-18.pdf
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