ZXMHC10A07N8TC - MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
RoHS-Status
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Technische Daten für ZXMHC10A07N8TC
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : ZXMHC10A07N8TC
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 800mA, 680mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 700 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 138pF @ 60V
Leistung max : 870mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SOP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für ZXMHC10A07N8TC
Datenblätter : ZXMHC10A07N8TC.pdf
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