PSMN013-30LL,115 - MOSFET N-CH 30V QFN3333
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V QFN3333
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
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Technische Daten für PSMN013-30LL,115
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
PSMN013-30LL,115
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V QFN3333
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.15V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12.2nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
768pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
41W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-DFN3333 (3.3x3.3)
Paket / fall :
8-VDFN Exposed Pad
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für PSMN013-30LL,115
Datenblätter :
PSMN013-30LL,115.pdf
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