FDC642P-F085 - MOSFET P-CH 20V 4A 6SSOT

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MOSFET P-CH 20V 4A 6SSOT
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Technische Daten für FDC642P-F085

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDC642P-F085
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 4A 6SSOT
Serie : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 640pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.2W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SuperSOT™-6
Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für FDC642P-F085

Datenblätter : FDC642P-F085.pdf

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