CDBJFSC10650-G - DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
79520 Pieces
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Technische Daten für CDBJFSC10650-G
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
CDBJFSC10650-G
Hersteller :
Comchip Technology
Beschreibung :
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
10A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 10A
Geschwindigkeit :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
100µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F :
710pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-220-2 Full Pack
Supplier Device Package :
TO-220F
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 175°C
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für CDBJFSC10650-G
Datenblätter :
CDBJFSC10650-G.pdf
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