2SK3906(Q) - MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-2SK3906(Q)
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
8016 Pieces
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Technische Daten für 2SK3906(Q)
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
2SK3906(Q)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
330 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4250pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
150W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-3P(N)
Paket / fall :
TO-3P-3, SC-65-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für 2SK3906(Q)
Datenblätter :
2SK3906(Q).pdf
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