SI8802DB-T2-E1 - MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für SI8802DB-T2-E1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SI8802DB-T2-E1
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
54 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
500mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
4-Microfoot
Paket / fall :
4-XFBGA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SI8802DB-T2-E1
Datenblätter :
SI8802DB-T2-E1.pdf
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