JAN1N649-1 - DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-JAN1N649-1
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
21693 Pieces
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Technische Daten für JAN1N649-1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : JAN1N649-1
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Serie : Military, MIL-PRF-19500/240
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 400mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 400mA
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 50nA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package : DO-35
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für JAN1N649-1
Datenblätter : JAN1N649-1.pdf
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