BAS21E6327HTSA1 - DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23
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Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
12017655 Pieces
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Technische Daten für BAS21E6327HTSA1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
BAS21E6327HTSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23
Serie :
-
Teilestatus :
Last Time Buy
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
250mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 200mA
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
100nA @ 200V
Kapazität @ Vr, F :
5pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package :
SOT-23-3
Betriebstemperatur - Übergang :
150°C (Max)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für BAS21E6327HTSA1
Datenblätter :
BAS21E6327HTSA1.pdf
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