BAS21E6327HTSA1 - DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für BAS21E6327HTSA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BAS21E6327HTSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23
Serie : -
Teilestatus : Last Time Buy
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 250mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 200mA
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100nA @ 200V
Kapazität @ Vr, F : 5pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package : SOT-23-3
Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BAS21E6327HTSA1
Datenblätter : BAS21E6327HTSA1.pdf
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