EMD12T2R - TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

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TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
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Technische Daten für EMD12T2R

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : EMD12T2R
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
Widerstand - Basis (R1) : 47 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : 47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 68 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 500nA
Frequenz - Übergang : 250MHz
Leistung max : 150mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package : EMT6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für EMD12T2R

Datenblätter : EMD12T2R.pdf

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