IPB13N03LB G - MOSFET N-CH 30V 30A TO-263

Hersteller Teilenummer

IPB13N03LB G

Interne Teilenummer

AX-IPB13N03LB G

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 30A TO-263

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

9240 Pieces

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Technische Daten für IPB13N03LB G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPB13N03LB G

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 30A TO-263

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.5 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 20µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1355pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 52W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D²PAK (TO-263AB)

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPB1 , IPB13N

Dokumente für IPB13N03LB G

Datenblätter : IPB13N03LB G.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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