ALD210808APCL - MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
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Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
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Technische Daten für ALD210808APCL
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
ALD210808APCL
Hersteller :
Advanced Linear Devices Inc.
Beschreibung :
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
Serie :
EPAD®, Zero Threshold™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
4 N-Channel, Matched Pair
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
10.6V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
20mV @ 10µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Leistung max :
500mW
Betriebstemperatur :
0°C ~ 70°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
16-DIP (0.300", 7.62mm)
Supplier Device Package :
16-PDIP
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für ALD210808APCL
Datenblätter :
ALD210808APCL.pdf
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