NCP81075DR2G - HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-NCP81075DR2G
Hersteller
Kurze Beschreibung
HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
493740 Pieces
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Technische Daten für NCP81075DR2G
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
NCP81075DR2G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Angetriebene Konfiguration :
High-Side or Low-Side
Kanaltyp :
Independent
Anzahl der Treiber :
2
Gate-Typ :
N-Channel MOSFET
Spannungsversorgung :
8.5V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH :
0.8V, 2.7V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) :
4A, 4A
Eingabetyp :
Non-Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) :
200V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) :
8ns, 7ns
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 140°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SOIC
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für NCP81075DR2G
Datenblätter :
NCP81075DR2G.pdf
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