TPS1101DRG4 - MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

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MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
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Technische Daten für TPS1101DRG4

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : TPS1101DRG4
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 15V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11.25nC @ 10V
Vgs (Max) : +2V, -15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 791mW (Ta)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SOIC
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : TPS1101DRG4.pdf

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