IDT70P3337S233RM - IC SRAM 9M PARALLEL 576FCBGA
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Kurze Beschreibung
IC SRAM 9M PARALLEL 576FCBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IDT70P3337S233RM
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IDT70P3337S233RM
Hersteller : IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung : IC SRAM 9M PARALLEL 576FCBGA
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : SRAM
Technologie : SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
Speichergröße : 9Mb (512K x 18)
Taktfrequenz : 233MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -
Zugriffszeit : 7.2ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur : 0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 576-BBGA, FCBGA
Supplier Device Package : 576-FCBGA (25x25)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IDT70P3337S233RM
Datenblätter : IDT70P3337S233RM.pdf
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