RUC002N05HZGT116 - 1.2V DRIVE NCH MOSFET

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1.2V DRIVE NCH MOSFET
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Technische Daten für RUC002N05HZGT116

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RUC002N05HZGT116
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : 1.2V DRIVE NCH MOSFET
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 50V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 25pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 350mW (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SST3
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : RUC00 , RUC002N0

Dokumente für RUC002N05HZGT116

Datenblätter : RUC002N05HZGT116.pdf

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