2SK2866(F) - MOSFET N-CH 600V 10A TO-220AB

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220AB
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Technische Daten für 2SK2866(F)

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 2SK2866(F)
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 10A TO-220AB
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2040pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 125W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220AB
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für 2SK2866(F)

Datenblätter : 2SK2866(F).pdf

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