IPW60R045CPAFKSA1 - MOSFET N-CH 650V 60A TO-247

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
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Technische Daten für IPW60R045CPAFKSA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPW60R045CPAFKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
Serie : Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 3mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 190nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6800pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 431W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO247-3
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IPW60R045CPAFKSA1

Datenblätter : IPW60R045CPAFKSA1.pdf

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