APTM10UM02FAG - MOSFET N-CH 100V 570A SP6

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 570A SP6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für APTM10UM02FAG

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : APTM10UM02FAG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 570A SP6
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 570A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 200A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 10mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1360nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 40000pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1660W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SP6
Paket / fall : SP6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für APTM10UM02FAG

Datenblätter : APTM10UM02FAG.pdf

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