NTMS10P02R2G - MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC

Hersteller Teilenummer

NTMS10P02R2G

Interne Teilenummer

AX-NTMS10P02R2G

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

653270 Pieces

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Technische Daten für NTMS10P02R2G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : NTMS10P02R2G

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3640pF @ 16V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.6W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-SOIC

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : NTMS , NTMS10

Dokumente für NTMS10P02R2G

Datenblätter : NTMS10P02R2G.pdf

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