NVD5117PLT4G-VF01 - MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
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Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für NVD5117PLT4G-VF01
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NVD5117PLT4G-VF01
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Ta), 61A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 85nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4800pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 4.1W (Ta), 118W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DPAK
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für NVD5117PLT4G-VF01
Datenblätter : NVD5117PLT4G-VF01.pdf
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