SISF00DN-T1-GE3 - MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

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MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
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Technische Daten für SISF00DN-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SISF00DN-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
Serie : TrenchFET® Gen IV
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 53nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 15V
Leistung max : 69.4W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : PowerPAK® 1212-8SCD
Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8SCD
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : SISF0 , SISF00D

Dokumente für SISF00DN-T1-GE3

Datenblätter : SISF00DN-T1-GE3.pdf

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