DMT10H015LFG-7 - MOSFET N-CH 100V 10A

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MOSFET N-CH 100V 10A
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Technische Daten für DMT10H015LFG-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMT10H015LFG-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 10A
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Ta), 42A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 33.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1871pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2W (Ta), 35W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerDI3333-8
Paket / fall : 8-PowerWDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für DMT10H015LFG-7

Datenblätter : DMT10H015LFG-7.pdf

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