FQP4N20L - MOSFET N-CH 200V 3.8A TO-220

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MOSFET N-CH 200V 3.8A TO-220
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Technische Daten für FQP4N20L

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FQP4N20L
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 3.8A TO-220
Serie : QFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.35 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5.2nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 310pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 45W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220AB
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für FQP4N20L

Datenblätter : FQP4N20L.pdf

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