EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR - IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
70040 Pieces
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Technische Daten für EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
Hersteller :
Micron Technology Inc.
Beschreibung :
IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Speichertyp :
Volatile
Speicherformat :
DRAM
Technologie :
SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße :
1Gb (64M x 16)
Taktfrequenz :
533MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
-
Zugriffszeit :
-
Speicherschnittstelle :
Parallel
Spannungsversorgung :
1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 105°C (TC)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
134-VFBGA
Supplier Device Package :
134-VFBGA (10x11.5)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
ähnliche Links :
EDB1316B , EDB1316BDBH-
Dokumente für EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
Datenblätter :
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR.pdf
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