ZXMP6A16DN8QTA - MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
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Technische Daten für ZXMP6A16DN8QTA
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : ZXMP6A16DN8QTA
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 24.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1021pF @ 30V
Leistung max : 1.81W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für ZXMP6A16DN8QTA
Datenblätter : ZXMP6A16DN8QTA.pdf
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