FQI7N80TU - MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK

Hersteller Teilenummer

FQI7N80TU

Interne Teilenummer

AX-FQI7N80TU

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für FQI7N80TU

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FQI7N80TU

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK

Serie : QFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 52nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1850pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3.13W (Ta), 167W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : I2PAK (TO-262)

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : FQI7N80TU.pdf

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