IPB083N10N3GATMA1 - MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

Hersteller Teilenummer

IPB083N10N3GATMA1

Interne Teilenummer

AX-IPB083N10N3GATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

629770 Pieces

Referenzpreis

~~USD 0.4455~~

Unser Preis

- (Bitte kontaktieren Sie uns für einen besseren Preis: [email protected])

AX Semiconductor hat IPB083N10N3GATMA1 auf Lager zum Verkauf. Wir können innerhalb von 1-2 Tagen an Sie versenden. Bitte kontaktieren Sie uns für einen günstigeren Preis für IPB083N10N3GATMA1. Unsere E-Mail: [email protected]

Versandoptionen und Lieferzeit:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Zahlungsmöglichkeiten:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Technische Daten für IPB083N10N3GATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPB083N10N3GATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.3 mOhm @ 73A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 75µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3980pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 125W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D²PAK (TO-263AB)

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPB08 , IPB083N1

Dokumente für IPB083N10N3GATMA1

Datenblätter : IPB083N10N3GATMA1.pdf

Verwandte Produkte für IPB083N10N3GATMA1 Infineon Technologies

Artikelnummer	Marke	Beschreibung
WF165335WL10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 16KV SCREW.
BZ114096WZ10248BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 40KV.
WF135250WL50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
WX110250WJ50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
PZ0140WL10138CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.
WF165380WQ75238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WI106266WP40236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 20KV SCREW.
WI085260WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
WF135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV SCREW.
WF110250WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
WI140376WP10336BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 20KV SCREW.
BZ118100WV10136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 30KV AXIAL.
WZ125178BH30236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 3000PF 10KV.
WF165278WP60238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV SCREW.
12065C223KHT1A	AVX Corporation	CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206.
WI140316WQ75236BJ4	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
CDR35BP103BKUSAR	Vishay Vitramon	CAP CER 10000PF 100V BP 1825.
CDR32BP102BJZRAC	Vishay Vitramon	CAP CER 1000PF 100V BP 1206.
WF125405WJ10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
WX110250WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.