BYR29X-800PQ - DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F

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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für BYR29X-800PQ

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BYR29X-800PQ
Hersteller : WeEn Semiconductors
Beschreibung : DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 8A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 55ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 800V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-220-2 Full Pack
Supplier Device Package : TO-220F
Betriebstemperatur - Übergang : 175°C (Max)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : BYR2 , BYR29X

Dokumente für BYR29X-800PQ

Datenblätter : BYR29X-800PQ.pdf

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