HAT2165H-EL-E - MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für HAT2165H-EL-E
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : HAT2165H-EL-E
Hersteller : Renesas Electronics America
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 55A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5180pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 30W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : LFPAK
Paket / fall : SC-100, SOT-669
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für HAT2165H-EL-E
Datenblätter : HAT2165H-EL-E.pdf
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