TPCF8B01(TE85L,F,M - MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8

Hersteller Teilenummer

TPCF8B01(TE85L,F,M

Interne Teilenummer

AX-TPCF8B01(TE85L,F,M

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für TPCF8B01(TE85L,F,M

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TPCF8B01(TE85L,F,M

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8

Serie : U-MOSIII

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 1.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 200µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 5V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 470pF @ 10V

FET-Funktion : Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.) : 330mW (Ta)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : VS-8 (2.9x1.5)

Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für TPCF8B01(TE85L,F,M

Datenblätter : TPCF8B01(TE85L,F,M.pdf

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