FDMS3660AS - MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-FDMS3660AS
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für FDMS3660AS
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDMS3660AS
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 13A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2230pF @ 15V
Leistung max : 1W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Supplier Device Package : Power56
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für FDMS3660AS
Datenblätter : FDMS3660AS.pdf
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