FDB024N04AL7 - MOSFET N-CH 40V D2PAK-7

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MOSFET N-CH 40V D2PAK-7
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Technische Daten für FDB024N04AL7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDB024N04AL7
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 40V D2PAK-7
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 109nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7300pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 214W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D²PAK (TO-263)
Paket / fall : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für FDB024N04AL7

Datenblätter : FDB024N04AL7.pdf

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