APTM10DHM09T3G - MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für APTM10DHM09T3G
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
APTM10DHM09T3G
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
Serie :
POWER MOS V®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
139A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
350nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
9875pF @ 25V
Leistung max :
390W
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
SP3
Supplier Device Package :
SP3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für APTM10DHM09T3G
Datenblätter :
APTM10DHM09T3G.pdf
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