FDB1D7N10CL7 - FET 100V 1.7 MOHM D2PAK

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FET 100V 1.7 MOHM D2PAK
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Technische Daten für FDB1D7N10CL7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDB1D7N10CL7
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : FET 100V 1.7 MOHM D2PAK
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 268A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.65 mOhm @ 100A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 700µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 163nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 11600pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 250W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D²PAK (TO-263)
Paket / fall : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für FDB1D7N10CL7

Datenblätter : FDB1D7N10CL7.pdf

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