RFN1LAM6STR - DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

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Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für RFN1LAM6STR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RFN1LAM6STR
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 800mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.45V @ 800mA
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOD-128
Supplier Device Package : PMDTM
Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für RFN1LAM6STR

Datenblätter : RFN1LAM6STR.pdf

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