IPP65R310CFDXKSA1 - MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
RoHS-Status
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Technische Daten für IPP65R310CFDXKSA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPP65R310CFDXKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
Serie : CoolMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 310 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 440µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 104.2W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO220-3
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IPP65R310CFDXKSA1
Datenblätter : IPP65R310CFDXKSA1.pdf
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