VS-GT300YH120N - IGBT 1200V 341A 1042W DIAP
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Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 341A 1042W DIAP
RoHS-Status
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Technische Daten für VS-GT300YH120N
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : VS-GT300YH120N
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : IGBT 1200V 341A 1042W DIAP
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench
Aufbau : Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 341A
Leistung max : 1042W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.17V @ 15V, 300A (Typ)
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 300µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 36nF @ 30V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Double INT-A-PAK (3 + 8)
Supplier Device Package : Double INT-A-PAK
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für VS-GT300YH120N
Datenblätter : VS-GT300YH120N.pdf
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