PMPB11EN,115 - MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN

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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für PMPB11EN,115

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : PMPB11EN,115
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20.6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 840pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DFN2020MD-6
Paket / fall : 6-UDFN Exposed Pad
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für PMPB11EN,115

Datenblätter : PMPB11EN,115.pdf

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