CSD17313Q2Q1T - MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für CSD17313Q2Q1T
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : CSD17313Q2Q1T
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Serie : NexFET™
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.7nC @ 4.5V
Vgs (Max) : +10V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 340pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 6-WSON (2x2)
Paket / fall : 6-WDFN Exposed Pad
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für CSD17313Q2Q1T
Datenblätter : CSD17313Q2Q1T.pdf
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