GP1M009A020HG - MOSFET N-CH 200V 9A TO220

Hersteller Teilenummer

GP1M009A020HG

Interne Teilenummer

AX-GP1M009A020HG

Hersteller

Global Power Technologies Group

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 9A TO220

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

17592 Pieces

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Technische Daten für GP1M009A020HG

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : GP1M009A020HG

Hersteller : Global Power Technologies Group

Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 9A TO220

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.6nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 414pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 52W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für GP1M009A020HG

Datenblätter : GP1M009A020HG.pdf

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