2N7635-GA - TRANS SJT 650V 4A TO-257

Hersteller Teilenummer

2N7635-GA

Interne Teilenummer

AX-2N7635-GA

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Kurze Beschreibung

TRANS SJT 650V 4A TO-257

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

52350 Pieces

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Technische Daten für 2N7635-GA

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : 2N7635-GA

Hersteller : GeneSiC Semiconductor

Beschreibung : TRANS SJT 650V 4A TO-257

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : -

Technologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Tc) (165°C)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 415 mOhm @ 4A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 324pF @ 35V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 47W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 225°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-257

Paket / fall : TO-257-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für 2N7635-GA

Datenblätter : 2N7635-GA.pdf

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